一种二维层状异质结Ge-GeH、光电阳极材料及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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一种二维层状异质结Ge-GeH、光电阳极材料及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种二维层状异质结Ge‑GeH、光电阳极材料及其制备方法，Ge‑GeH异质结的制备方法包括如下步骤：S1.将锗单质和钙单质按比例混合均匀后煅烧，冷却后得到混合物；锗单质与钙单质的质量比为1：(0.4～0.8)；S2.将S1得到的混合物与浓盐酸混合，在真空条件下搅拌反应40～55h，洗涤，超声处理，所得即为二维层状异质结Ge‑GeH。本发明制备得到的二维层状异质结Ge‑GeH具有优异的光电响应性能，可与商业导电碳粉混合用于制备PEC型光电探测系统中的光电阳极材料。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113394023 B (45)授权公告日 2022.04.22 (21)申请号 202110625764.X (51)Int.Cl.