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本发明公开了一种嵌入式SiP外延层的制造方法，包括：步骤一、提供形成有半导体器件的栅极结构的硅衬底并在栅极结构两侧自对准形成凹槽。步骤二、在凹槽中填充嵌入式SiP外延层，包括：步骤21、进行第一次选择性外延生长在凹槽的内侧表面形成SiP缓冲层。步骤22、进行第二次选择性外延生长形成SiP主体层，SiP主体层生长完成后会在栅极结构的侧面上形成缺陷种子层。步骤23、对嵌入式SiP外延层进行回刻以将缺陷种子层去除。本发明能消除嵌入式SiP外延层形成工艺中产生的不可检测的缺陷种子层，从而能防止在嵌入式S
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394161 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110600320.0 (22)申请日 2021.05.31 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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