一种发光芯片失效原因背面分析方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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一种发光芯片失效原因背面分析方法.pdf

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本发明涉及一种发光芯片失效原因背面分析方法。该方法包括：S10、研磨抛光N电极上与光波导对应位置的金属陶瓷层，使光波导对应位置的N电极裸露；S20、在N电极上设置测试连接点，且测试连接点位于光波导在N电极的对应区域之外；S30、供电电路的正极连接P电极上的键合金属线，供电电路的负极连接测试连接点，供电电路提供供电电压以使发光芯片发光；S40、使用光检测设备检测发光芯片背面发出的光，根据获取光确定发光芯片的失效区域。本发明解决了光芯片表面覆盖金属层导致失效现象无法显现的问题，提高光芯片失效分析的准

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113406472 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110532370.X (22)申请日 2021.05.17 (71)申请人世强