堆叠状的光子III-V族半导体器件.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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堆叠状的光子III-V族半导体器件.pdf

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堆叠状的光子III‑V族半导体器件，其具有至少区域性地构造的第二金属连接接通层、第一导电类型的高掺杂的第一半导体接通区域、第一或第二导电类型的非常弱掺杂的吸收区域、至少区域性地构造的第一金属连接接通层，其中，该吸收区域具有20μm至2000μm的层厚度，第一半导体接通区域槽状地延伸到吸收区域中，第二金属连接接通层材料锁合地与第一半导体接通区域连接，并且第一金属连接接通层布置在吸收区域下方。此外，该堆叠状的光子III‑V族半导体器件具有第一或第二导电类型的掺杂的III‑V族半导体钝化层，其中，该I

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113437167 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110330343.4 (22)申请日 2021.03.19 (30)优先权数据