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2023-06-22 发布于四川
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本发明实施例公开了一种掩膜版。该掩膜版包括第一边界区和多个曝光图案区，第一边界区包括围绕多个曝光图案区的区域；第一边界区中设置有多个第一套刻标记单元，每个第一套刻标记单元包括多个套刻标记；多个套刻标记沿相邻近的横向或纵向的第一边界线的延伸方向依次排列；多个第一套刻标记单元以掩膜版的中心线为对称轴两两对称，且对称的两个第一套刻标记单元形成一个套刻标记组；位于同一套刻标记组的两个第一套刻标记单元中的套刻标记的排列方向平行且相互错位。本发明实施例解决了现有的掩膜版布局限制了晶圆芯片数量的问题，实现了边

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113433791 B (45)授权公告日 2023.03.31 (21)申请号 202010206220.5 (56)对比文件 (22)申请日 2020.03.23