薄膜晶体管及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-21 发布于四川
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薄膜晶体管及其制造方法.pdf

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本发明的薄膜晶体管包括：主体层，其为在栅极电极上隔着栅极绝缘膜形成的半导体层，且在栅极电极的上方包含：第一区域、第二区域以及位于第一区域以及第二区域之间的沟道区域；沟道阻挡物，其形成在沟道区域上；源极电极，其经由第一接触层与第一区域电连接；以及漏极电极，其经由第二接触层与第二区域电连接。第一接触层以及第二接触层分别包含第一非晶硅层，该第一非晶硅层与源极电极或漏极电极直接接触且包含有杂质，第一区域以及第二区域的各自的厚度小于沟道区域的厚度，第一区域以及第二区域包含有第二非晶硅层，该第二非晶硅层以比

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345966 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110182022.4 (22)申请日 2021.02.09 (30)优先权数据 62/977971