PECVD工艺培训资料.pptVIP

PECVD工艺 第六十二页，共九十页。 PECVD工艺 第六十三页，共九十页。 PECVD工艺 PECVD设备厂家较多，各家设备成膜的原理不尽相同，主要是RothRau、Centrotherm、OTB、岛津等。国内中电48所等单位也在生产，但自动化程度差别很大。 PECVD设备厂家 3 1 中国电子科技集团公司 第四十八研究所 第三十页，共九十页。 PECVD工艺 制备SixNy薄膜设备的分类 3 2 第三十一页，共九十页。 PECVD工艺 第三十二页，共九十页。 PECVD工艺 第三十三页，共九十页。 PECVD工艺 第三十四页，共九十页。 PECVD工艺 第三十五页，共九十页。 PECVD工艺 第三十六页，共九十页。 PECVD工艺 第三十七页，共九十页。 PECVD工艺 第三十八页，共九十页。 PECVD工艺 第三十九页，共九十页。 PECVD工艺 第四十页，共九十页。 PECVD工艺 第四十一页，共九十页。 PECVD工艺 第四十二页，共九十页。 PECVD工艺 第四十三页，共九十页。 PECVD工艺 第四十四页，共九十页。 PECVD工艺 第四十五页，共九十页。 PECVD工艺 第四十六页，共九十页。 PECVD工艺 第四十七页，共九十页。 PECVD工艺 第四十八页，共九十页。 PECVD工艺 第四十九页，共九十页。 PECVD工艺 第五十页，共九十页。 PECVD工艺 SiNA系列PECVD设备是德国RothRau AG公司所生产，SiNA 是德文Silizium（硅）-Nitrid（氮）-Anlage（处理系统）的缩写。按照产量将该系列不同机型标识为“L”，“XL”, “XXL”。型号的不同主要取决于载板的大小，真空舱的尺寸，等离子体源的个数，真空泵抽真空的速度，这些因素都将影响生产循环所需的时间。 等离子产生方式：微波（2.45GHz）。 RothRau平板式PECVD设备 3 3 第五十一页，共九十页。 PECVD工艺 硅片尺寸 125*125 mm Model Wafer size mm Throughput (gross) W/h Wafers per Carrier Plasma sources Cycle time s SiNA L 125 1800 36 4 72 SiNA XL 125 2300 36 6 55 SiNA XXL 125 3300-3500 66 8 66-72 硅片尺寸156*156 mm Model Wafer size mm Throughput (gross) W/h Wafers per Carrier Plasma sources Cycle time s SiNA L 156 1250 25 4 72 SiNA XL 156 1635 25 6 55 SiNA XXL 156 2200-2400 45 8 66-72 第五十二页，共九十页。 PECVD工艺 SiNA设备是由三个主要的腔体组成，这三个腔体可根据其功能而分别为进料腔，工艺腔和出料腔。这三个腔体是分别独立的而且由气控的阀门而隔开。 在进料腔的位置装配了红外线的加热灯，通过这个加热灯可使得未敷层的硅片在进入接下来的工艺腔前在极短的时间内迅速加热到350到450度。 而作为设备核心的工艺腔在功能上可以被分为三大区域。首先为加热区，在这个区域里即将敷层的硅片表面温度被稳定在敷层所需要的设定值。接下来是覆层区域和最后的冷却区域。冷却区域安排在敷层区域之后，主要负责为载板及被敷层和已进行过钝化处理后的硅片在离开系统前进行冷却。 SiNA 系统主要有真空系统、等离子系统、传送系统、气动系统、加热系统、冷却系统、电路自动控制系统组成。整个系统由PC系统控制。 第五十三页，共九十页。 PECVD工艺 第五十四页，共九十页。 PECVD工艺 第五十五页，共九十页。 PECVD工艺 第五十六页，共九十页。 PECVD工艺 第五十七页，共九十页。 PECVD工艺 第五十八页，共九十页。 PECVD工艺 第五十九页，共九十页。 PECVD工艺 第六十页，共九十页。 PECVD工艺 第六十一页，共九十页。 中电投西安太阳能电力有限公司 CPI XI’AN SOLAR POWER CO., LTD 中电投西安太阳能电力有限公司 CPI XI’AN SOLAR POWER CO., LTD PECVD工艺技术 技术部 2012-03 第一页，共九十页。 晶硅太阳能电池加工工艺 晶硅电池生产工艺流程 硅片检测 磷扩散 PECVD 丝网印刷 烧结 1 3 5 6 7 清洗制绒 2 洗磷刻蚀 4 检测分选 8 第二页，共九十页。