倒装Mini LED芯片及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-21 发布于四川
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倒装Mini LED芯片及其制造方法.pdf

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本发明提供一种倒装MiniLED芯片及其制造方法，倒装MiniLED芯片依次包括衬底、N型半导体层、多量子阱层、和P型半导体层，P型半导体层包括相互间隔设置的第一P型半导体区和第二P型半导体区，多量子阱层包括分别位于第一P型半导体区和第二P型半导体区下方的第一多量子阱区和第二多量子阱区；第一P型半导体区上设有与其电性连接的第一扩展电极，第二P型半导体区上设有第二扩展电极，第二扩展电极延伸至N型半导体层，与其电性连接；第一扩展电极和第二扩展电极上分别设有与其电性连接的第一焊盘电极和第二焊盘电极

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345986 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110250074.0 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2