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一种测试三维(3D)存储器单元阵列的方法,包括将数据写入3D存储器单元阵列中的存储器单元的每个层,同时执行3D存储器单元阵列的至少第一支列中的每个存储器单元的读取操作,确定3D存储器单元阵列中的一个存储器单元是否响应于读取操作而发生故障,并响应于确定该3D存储器单元阵列中的存储器单元发生故障而将3D存储器单元阵列中的至少一个故障存储器单元替换为备用存储器单元。第一支列包括在3D存储器单元阵列的每个对应层上的存储器单元。本发明的实施例还涉及一种存储器电路。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380313 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110603735.3 G11C 29/12 (2006.01)
(22)申请日 2
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