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一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含位于衬底上方的存储器单元以及第一数据线、第二数据线和第三数据线。所述存储器单元包含第一晶体管和第二晶体管。所述第一晶体管包含位于所述设备的第一层级上的电荷存储结构,以及与所述电荷存储结构电分离的第一沟道区。所述第二晶体管包含位于所述设备的第二层级上且电耦合到所述电荷存储结构的第二沟道区。所述第一数据线和所述第二数据线位于所述设备的第三层级上且电耦合到所述第一沟道区。所述第一层级在所述衬底与所述第三层级之间。所述第三数据线电耦合到所述第二
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113383417 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 201980091157.0 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限
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