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本发明公开了一种SiC纳米阵列的电化学刻蚀法制备工艺，选取N掺杂的4H‑SiC单晶片为原料，切割为多片小晶片A；将氢氟酸与无水乙醇按照一定比例混合得到混合液B；将氢氟酸、乙醇和过氧化氢按一定比例混合，得到混合液C；将小晶片A清洗10‑15min，去除表面杂质；将小晶片A置入混合液B中浸泡2‑5min，去除表面氧化物；将小晶片A干燥10‑20min；将干燥好的小晶片A作为阳极，石墨片作为阴极，放入混合液C中，用15‑20V脉冲电源进行刻蚀。通过采用以上技术方案，可以在常温常压的条件下，实现对SiC
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380616 A
(43)申请公布日
2021.09.10
(21)申请号 20201
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