半导体晶体薄膜的制造方法和激光退火系统.pdfVIP

半导体晶体薄膜的制造方法和激光退火系统.pdf

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本公开的一个观点的半导体晶体薄膜的制造方法包含以下步骤：通过对非晶质半导体照射第1脉冲时间宽度的第1脉冲激光，使非晶质半导体多晶化；以及通过对多晶化的半导体晶体的区域照射比第1脉冲时间宽度短的第2脉冲时间宽度的第2脉冲激光，降低半导体晶体的脊的高度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113383407 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 201980090884.5 (74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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