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本发明公开了一种无压烧结制备高综合性能氮化硅陶瓷的方法,通以硅粉,氧化锆,氧化钆、氧化钇、氮化硅粉为主要原料,加入溶剂进行球磨混合后,经干压结合冷等静压成型或流延成型后,成型的样品进行氮化热处理,无压烧结后,通过一定的升降温速率和一定温区的退火热处理,获得了高热导率的氮化硅陶瓷,同时提高了绝缘强度,保证了力学性能,大大降低了成本,本发明应用于制备低成本、综合性能优异和热导率高的氮化硅陶瓷。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113307631 B (45)授权公告日 2022.08.23 (21)申请号 202110522609.5 C04B 35/63 (2006.01)
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