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2023-06-20 发布于四川
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一种静电泄放自保护的异质结半导体器件.pdf

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本发明涉及一种静电泄放自保护的异质结半导体器件，包括：缓冲层、沟道层、异质结沟道、势垒层；势垒层上表面设有金属漏电极、金属源电极；金属漏电极与金属源电极之间且接近金属源电极间隔设有由第一p型半导体层、第一n型半导体层、第二p型半导体层交替组成的栅保护区以及由第三p型半导体层与金属栅电极层叠构成的栅控制区；栅保护区a与栅控制区b之间通过高阻介质层隔离；栅保护区提供ESD电流泄放通道保护栅极免受瞬时大电流的冲击。本发明相比传统的外部ESD保护电路具有集成度高、占用面积小、寄生电容小等优点。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113327923 A (43)申请公布日 2021.08.31 (21)申请号 202110598471.7 (22)申请日 2021.05.31 (71)申请人东南大学地址 21

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