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包含源极层和漏极层的交替堆叠和竖直栅极电极的三维存储器器件.pdfVIP

包含源极层和漏极层的交替堆叠和竖直栅极电极的三维存储器器件.pdf

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    本发明提供了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括位于衬底上方的源极层和漏极层的交替堆叠、竖直延伸穿过该交替堆叠的这些源极层和这些漏极层中的每一者的栅极电极、横向围绕这些栅极电极中的相应一个栅极电极的存储器膜和横向围绕这些存储器膜中的相应一个存储器膜并且连接到相应竖直相邻的一对源极层和漏极层的半导体沟道。存储器开口阵列可竖直延伸穿过该交替堆叠，并且这些栅极电极中的每个栅极电极位于这些存储器开口中的相应一个存储器开口内。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113272958 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202080006753.7 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理

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