一种新型的高压槽栅MOS器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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一种新型的高压槽栅MOS器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种新型的高压槽栅MOS器件及其制备方法，其包括：N型重掺杂衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，P型重掺杂源极区，N型轻掺杂区，P型掺杂区，N型重掺杂源极区，高K绝缘层，栅极多晶硅区；漏极电极设在N型重掺杂衬底下表面，N型重掺杂衬底上有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上有P型阱区、N型轻掺杂区和槽栅结构区，N型轻掺杂区和槽栅结构区设在P型阱区之间，N型轻掺杂区上设P型掺杂区，P型掺杂区上设N型重掺杂源极区；另一个P型阱区上设N型重掺杂源极区，在P型阱区上设P型重掺杂源极区；槽栅结构区

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113241381 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110566933.7 (22)申请日 2021.05.24 (71)申请人厦门芯一代集成电路有限公司