应用于后端工序中的刻蚀方法.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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应用于后端工序中的刻蚀方法.pdf

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本申请公开了一种应用于后端工序中的刻蚀方法，包括：获取前道工序后的薄膜厚度的分布，前道工序是本刻蚀方法之前执行的工序；根据薄膜厚度的分布，确定本次刻蚀的刻蚀条件，在该刻蚀条件下进行刻蚀时，存在至少两个刻蚀区域的刻蚀速率不同；根据本次刻蚀的刻蚀条件进行刻蚀。本申请在半导体器件制作过程中的后端工序中，通过获取前道工序后的薄膜厚度的分布确定本次刻蚀的刻蚀条件，从而解决了由于前道工序的薄膜厚度不均匀所导致的器件可靠性较差的问题，提高了器件的可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113241302 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110467349.6 (22)申请日 2021.04.28 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司