基于中子辐照精确调控氧化镓单晶载流子浓度的方法.pdfVIP

下载本文档

11
0
约1.16万字
约 9页
2023-06-16 发布于四川
举报
版权申诉

基于中子辐照精确调控氧化镓单晶载流子浓度的方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明涉及一种基于中子辐照精确调控氧化镓单晶载流子浓度的方法，包括：对氧化镓衬底进行表面预处理；利用脉冲激光沉积工艺，在表面预处理后的氧化镓衬底上生长高阻抗氧化镓外延层；对高阻抗氧化镓外延层进行中子辐照处理，通过改变中子辐照剂量以实现对氧化镓载流子浓度的调控。本发明的基于中子辐照精确调控氧化镓单晶载流子浓度的方法，尤其是对小于1016cm‑3的低浓度载流子浓度的精确调控，通过对高阻抗氧化镓外延层进行中子辐照处理，引入Ga空位，与外延层掺杂杂质相互作用，从而达到调控载流子的目的实现对氧化镓中低浓度

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113241299 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110412313.8 (22)申请日 2021.04.16 (71)申请人西安电子科技大学地址