一种提升耐高温和抗辐照能力的IGBT结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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一种提升耐高温和抗辐照能力的IGBT结构及其制备方法.pdf

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本发明公布一种提升耐高温和抗辐照能力的IGBT结构，包括有源区元胞结构和非有源区终端结构，所述有源区元胞结构包括：N型半导体衬底；形成于所述半导体衬底背面的多个柱形N型掺杂区；形成于所述柱形N型掺杂区背面的P型集电区；形成于所述P型集电区背面的集电极金属层；形成于所述半导体衬底正面的N型CS层；形成于所述N型CS层正面的P阱层；形成于所述P阱层正面的高掺杂P+区；形成于所述高掺杂P+区内的多个沟槽栅，所述沟槽栅正面的外侧设置有N+发射区；所述沟槽栅的的表面设置栅极金属层；所述高掺杂P+区和N+发

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113241377 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110505208.9 (22)申请日 2021.05.10 (71)申请人湖南大学地址 41