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本发明公开了双极晶体管集成高压启动电阻的器件结构及制造方法。双极晶体管集成高压启动电阻的器件结构,包括衬底;衬底的上方设有高阻区;高阻区上开设有第一窗口,第一窗口内形成有第一填充层;第一窗口与第二窗口相邻设置,第二窗口内形成有第二填充层;高阻区的边缘以及第二填充层内开设有第三窗口,第三窗口内形成有第三填充层;还包括一覆盖在高阻区上方的氧化层,氧化层内埋设有多晶硅条从内至外螺旋状设置的多晶硅层;第一金属层与位于高阻区边缘的第三填充层以及多晶硅层短接;第二金属层与多晶硅层以及第二填充层短接;第三金属
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113161351 B (45)授权公告日 2022.03.11 (21)申请号 202110308047.4 H01L 21/82 (2006.01) (22)申请日
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