一种CdSe量子点、及其制备方法和光电导二极管.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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一种CdSe量子点、及其制备方法和光电导二极管.pdf

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本发明提供了一种一种带有离子配体的CdSe量子点颗粒及其光电导二极管，所述带有离子配体的CdSe量子点颗粒的紫外吸收第一激子激发峰的波长位置在400～700nm。本发明使用碳纳米管/石墨烯复合膜和金膜作为不对称电极，在硒化镉量子点的光电导的基础上成功地构建了量子点光电导二极管的单层结构。在该系统中，碳纳米管/氧化石墨烯膜电极具有富孔结构，可以在偏压下捕获自由离子，从而建立不对称的离子和电子电荷浓度梯度，并实现不对称的电荷传输。该光电导二极管的构造方法和整流机理与迄今为止报道的所有光电二极管器件都

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113150785 B (45)授权公告日 2022.08.12 (21)申请号 202110361517.3 B82Y 30/00 (2011.01)