集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 2.2.4气相外延的设备部分.pptx

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2023-06-17 发布于山东
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集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 2.2.4气相外延的设备部分.pptx

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集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚外延第2章外延JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 2.1 概述目录CONTENTS2.2 气相外延2.3 分子束外延2.4 其它外延2.5 外延层缺陷及检测外延设备与技术东芝 EGV-28/30GX卧式反应器基座控制系统控制系统气相外延 1. 低压外延指反应器内压力控制在1~20kPa的VPE可以减小自掺杂效应；缩小了过渡区，可用于多层外延；外延温度的下限有所降低；对设备要求提高了，必须防止泄漏；工艺温度降低，生长的外延层晶格完好性受到一定影响。优缺点：气相外延 2. 选择外延(SEG)SiO2SiSiSiO2需要氧化物表面具有高清洁度，外延气体中应含有一定剂量的氯原子，氯能提高硅的活性，抑制硅在气相和氧化层表面的成核。调节外延气体中Si／Cl的原子比，可以从非选择外延向选择外延或者衬底腐蚀方向变化。气相外延 3. SOI技术SOI(Silicon on Insulator) 是指在绝缘层上外延硅得到异质外延材料的技术。寄生电容小；速度快；抗幅射能力强；能抑制CMOS电路的闩锁效应。SOI应用在集成电路上的优势：气相外延 3. SOI技术SOS是SOI材料中的一种，是在蓝宝石（或尖晶石）衬底上外延硅。f Si/α-Al2O3≈14%VPE的SOS材料是应力释放型硅在氧化层上异质外延的SOI材料SiSiSiO2Si 气相外延异质外延类型