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本发明公开了一种陶瓷封装基座。这种陶瓷封装基座包括绝缘基体和钨导电层；钨导电层设置于绝缘基体的至少一个表面上；绝缘基体由氮化铝陶瓷形成；其中，钨导电层包括W、Al和M，M表示稀土元素。本发明制备的氮化铝陶瓷封装基座热导率高，导电层结合力好，布线电阻小。这种氮化铝陶瓷封装基座适用于传感器领域，尤其是高功率的TOF模组封装，不仅解决了散热的问题，同时也能满足TOF工作环境的要求。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113161297 B (45)授权公告日 2022.07.22 (21)申请号 202110249306.0 H01L 23/373 (2006.01) (22)申请日 2021.0
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