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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括中间区域和边缘区域，所述衬底上具有栅极结构，所述中间区域的所述栅极结构的高度与所述边缘区域的所述栅极结构的高度具有差异；采用至少一次沉积工艺在所述衬底、所述栅极结构表面形成覆盖层，位于高度高的所述栅极结构上的所述覆盖层的厚度小于位于高度低的所述栅极结构上的所述覆盖层的厚度；在每次形成完所述覆盖层后，均刻蚀所述覆盖层及部分厚度的所述栅极结构。本发明实施例提供的形成方法，可以提高衬底上不同区域的栅极结构的高度均匀性，提高半导体生产的良率和可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130393 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 20201
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