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本发明公开了一种VO2陶瓷、高响应度的红外弱光探测器及其调控方法。光敏半导体材料VO2陶瓷，采用微米级粒径的VO2粉剂，在保护气氛中400℃烧结制备获得。所述的VO2陶瓷作为光敏半导体，采用金属银制作阴阳电极；探测10mW的980nm红外光时，实现安培级的高光电流，实现不低于10A/W级的高响应度。驱动电压小于临界值时响应度较低；驱动电压高于临界值时，信号光照射下探测器由高阻态变为低阻态，电流大幅增大，获得高响应度；通过减小驱动电压至临界值之下，使探测器从低阻态恢复至高阻态；所述临界值由实验确定
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113105235 B (45)授权公告日 2022.08.23 (21)申请号 202110354810.7 C04B 35/622 (2006.01)
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