集成栅保护结构的GaN HEMT器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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集成栅保护结构的GaN HEMT器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种集成栅保护结构的GaNHEMT器件，器件包括：GaNHEMT，所述GaNHEMT包括源极、栅极及漏极，在栅极和源极之间设置有栅保护结构，栅保护结构在栅极与源极间的正向电压大于允许的最大正向电压时或反向电压的绝对值大于允许的最大反向电压的绝对值时击穿并导通。集成栅极保护结构的GaNHEMT器件，利用在芯片上集成栅的保护结构，当器件的栅极电压超过最大允许电压时，栅保护结构击穿导通，栅源电压维持在设置的最大电压，实现了对栅介质的保护，提高器件应用的可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113484 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110425872.2 (22)申请日 2021.04.20 (71)申请人安徽芯塔电子科技有限公司