半导体处理装置、方法与系统.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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半导体处理装置、方法与系统.pdf

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本揭露提供多个半导体处理装置、方法与系统，以预测或决定在半导体处理装置(如蚀刻装置)中的半导体晶圆的处理期间不规则的处理参数。半导体处理装置包含配置以接收半导体晶圆的装载端口。制程腔室是耦接至装载端口，而风扇是配置以选择性地改变制程腔室中的流体流。一或多个感测器是被提供在制程腔室中，并配置以感测制程腔室中的一或多个处理参数。控制器是耦接至风扇及一或多个感测器，而控制器是配置以控制风扇，以基于所感测到的一或多个处理参数来改变制程腔室中的流体流。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140482 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202110053319.0 (22)申请日 2021.01.15 (30)优先权数据 16/746,36