形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法.pdf

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本公开涉及形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法，其中，提供了一种碳化硅半导体衬底，其具有彼此横向间隔开并且在主表面之下的多个第一掺杂区域，以及形成从主表面延伸到在第一掺杂区域之上的第三掺杂区域的第二掺杂区域。形成从主表面延伸到第一掺杂区域的第四掺杂区域。形成具有布置在第一掺杂区域中的一个区域的一部分之上的底部的栅极沟槽。对衬底应用高温步骤从而沿着沟槽的侧壁对碳化硅原子进行重排列并且在栅极沟槽中形成圆角。从衬底去除在高温步骤期间沿着栅极沟槽的侧壁形成的表面层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130634 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202110393910.0 (51)Int.Cl.