一种肖特基势垒二极管及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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一种肖特基势垒二极管及其形成方法.pdf

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本发明实施例涉及一种肖特基势垒二极管及其形成方法。一种制造肖特基势垒二极管的方法包含：在衬底上方形成第一阱区；在所述第一阱区上方形成第一介电层；通过减小所述第一介电层的第一厚度来将所述第一介电层图案化；移除所述第一介电层以暴露出所述第一阱区的表面；及在所述第一阱区上方形成导电层以获得肖特基势垒界面。还提供一种基于上述方法制造的肖特基势垒二极管。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130320 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202010773465.6 (22)申请日 2020.08.04 (30)优先权数据