存储器装置、磁性隧道结存储器装置及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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存储器装置、磁性隧道结存储器装置及其形成方法.pdf

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阵列中的每一存储器单元包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括底部电极、存储器元件及顶部电极。在由存储器单元形成的阵列之上形成蚀刻终止介电层。在蚀刻终止介电层之上形成第一介电基质层。由于形貌，第一介电基质层的顶表面在存储器阵列区中相对于逻辑区中凸起。通过使用蚀刻终止介电层的顶部分执行化学机械平坦化工艺来对第一介电基质层进行平坦化。在第一介电基质层之上形成第二介电基质层。穿过第二介电基质层在顶部电极的相应子集上在蚀刻终止介电层的横向环绕由垂直堆叠形成的阵列的垂直突出部分之上形成金属单元接触结构。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130530 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 20201