功率半导体器件及其制备工艺.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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功率半导体器件及其制备工艺.pdf

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本发明实施例提供的功率半导体器件及其制备工艺，该功率半导体器件通过在第一导电类型半导体层内设置第一导电类型阱区，在第一导电类型阱区设置第二导电类型阱区，并且第二导电类型阱区被第一导电类型阱区完全包围，这样设置可以降低功率半导体器件的输出电容(Coss)，提高其输入电容(Ciss)与输出电容(Coss)的比值，也即Ciss/Coss的值，同时也能降低栅氧化层的电场，最终提高器件的稳定性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113130650 B (45)授权公告日 2022.08.09 (21)申请号 202010032135.1 H01L 29/739 (2006.01)