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通过溅射在至少一个板状衬底上沉积化合物层的真空装置，其包含：具有围绕中心轴线(A)的侧壁的真空腔室(11)，所述腔室包括‑至少一个用于工艺气体的入口(13)；‑至少一个用于惰性气体的入口(14)；‑衬底搬运开口(15)；‑基座(5)，包含在溅射隔室(18)的中心下部区中形成为衬底(4)支撑件的静电卡盘(6)，所述基座(5)以电隔离的方式安装并连接到第一电压源(21)的第一极，当溅射工艺活跃时，所述基座(5)还可在竖直方向上朝向和远离靶(1)从上部位置向下部位置移动，反之亦然；‑磁控管溅射源(22
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169024 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980084495.1 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公
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