用于通过局部加热来控制蚀刻深度的方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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用于通过局部加热来控制蚀刻深度的方法.pdf

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本公开内容的多个实施方式涉及通过提供在整个基板上的局部加热来控制蚀刻深度的方法。用于控制整个基板上的温度的方法可包括个别地控制设置在基板支承组件的介电主体中的多个加热小单元。多个加热小单元在基板的第一表面上提供温度分布，基板设置在介电主体的支承表面上。温度分布对应于待暴露于离子束的基板的第二表面上至少一个光栅的多个部分。此外，可通过个别地控制发光二极管(LED)阵列的LED来控制温度。将基板暴露于离子束，以在至少一个光栅上形成多个鳍片。至少一个光栅具有对应于温度分布的深度分布。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169099 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980081072.4 (74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理