硅-氮化镓复合衬底、复合器件及制备方法.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.43万字
约 14页
2023-06-14 发布于四川
举报
版权申诉

硅-氮化镓复合衬底、复合器件及制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种硅‑氮化镓复合衬底、复合器件及制备方法，硅‑氮化镓复合衬底包括硅基底、浅沟槽隔离结构、III‑N族外延结构及第二硅层；硅基底包括第一硅层；浅沟槽隔离结构位于硅基底上且贯穿第一硅层；III‑N族外延结构位于第一硅层的表面包括GaN沟道层及AlGaN势垒层且位于浅沟槽隔离结构的外侧；第二硅层位于第一硅层的表面且位于浅沟槽隔离结构的内侧。本发明可在同一平面集成硅基及氮化镓基的复合衬底，进一步可制备共平面集成硅‑氮化镓复合器件，从而在晶圆制造阶段实现硅器件和氮化镓器件共平面、小间距片上互联

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130297 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202110313173.9 (22)申请日 2021.03.24 (71)申请人聚能晶源（青岛）半导体材料有限公