改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法.pdf

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本发明涉及一种改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，所属半导体材料技术领域，如下操作步骤：步骤一：LTO背封层成膜后通过目检筛选出膜面上有缺陷的不良片，包括颗粒造成的成膜不良；筛选出LTO层内或者嵌入LTO层的颗粒造成的成膜不良片。步骤二：通过刷片清洗机的PVA刷进行刷硅片的清洗。步骤三：抛光前进行清洗，第一步采用去离子水进行清洗，第二步采用SC1对LTO背封硅片进行两次清洗，第三步再次采用去离子水进行清洗。步骤四：完成清洗后的LTO背封硅片进行抛光处理。具有运行稳定性好和产品合格率高的特点。解决了

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140446 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202110361869.9 (22)申请日 2021.04.02 (71)申请人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司