一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法.pdf

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本发明涉及一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，包括如下步骤：1）对N型硅片清洗制绒；2）正面硼扩散；3）背面酸洗、刻蚀或者抛光；4）背面氧化硅、多晶硅的复合双层制作；5)背面磷扩散；6）去除正面第二层多晶硅；7）印刷掩膜层；8）酸洗去正背面PSG、碱洗，碱抛形成轻、重扩区；9）正面沉积氧化铝；10）正面减反膜沉积；11）背面钝化膜沉积；12）电极印刷。本发明在炉管内直接制备出SiOx+PolySi+SiOx+PolySi复合双层结构，同时只需在原有的TOPCON电池制备流程上增加

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140655 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202110355312.4 (22)申请日 2021.04.01 (71)申请人常州顺风太阳能科技有限公司