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基于TiN掩膜的GaN材料及其制备方法.pdf

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    本发明公开了一种基于TiN掩膜的GaN材料及其制备方法，主要解决现有技术由于化学机械抛光及刻蚀对材料造成的损伤问题。其自下而上包括：衬底(1)，GaN成核层(2)，c面GaN层(3)，该c面GaN层包含三层结构，第一层为经选择性腐蚀，表面有位错腐蚀坑的GaN层，第二层为覆盖在腐蚀坑上的TiN掩膜，第三层是以前两层为基板继续生长GaN层。本发明在制作过程中由于先在腐蚀过后的GaN表面溅射一层金属Ti，再通过高温使Ti金属聚合成球并流入腐蚀坑内，之后对表面进行氮化处理从而在腐蚀坑内形成TiN掩膜，阻

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140447 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202110431294.3 (22)申请日 2021.04.21 (71)申请人 西安电子科技大学 地址

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