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一种光电探测器器件包括半导体材料层以及半导体材料层中的至少一个光电二极管。该至少一个光电二极管被配置为被偏置超过至少一个光电二极管的击穿电压，以响应于检测到入射光子而生成相应的电信号。相应的电信号独立于入射光子的光功率。纹理区耦接至半导体材料层并且纹理区包括光学结构，该光学结构被定位成在由至少一个光电二极管检测入射光子时与入射光子相互作用。两个或更多个光电二极管可以限定光电探测器器件的像素，且光学结构可以被配置为将入射光子引导至像素的两个或更多个光电二极管中的任一个光电二极管。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169243 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980079997.5 (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569
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