用于真空等离子体处理至少一个衬底或用于制造衬底的真空处理设备和方法.pdfVIP

下载本文档

3
0
约4.55万字
约 58页
2023-06-14 发布于四川
举报
版权申诉

用于真空等离子体处理至少一个衬底或用于制造衬底的真空处理设备和方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

在真空处理接受器（3）中，在第一等离子体电极（111）与第二等离子体电极（112）之间生成等离子体，以便对衬底（9）实行真空等离子体处理。为了最小化两个等离子体电极（111，112）中的至少一个被处理过程中得到的沉积的材料所掩埋，该电极（111）被提供有对等离子体电极效应无贡献的区域（30NPL）的表面图案和等离子体电极有效的区域（30PL）的表面图案。两个电极（111，112）之间的电流路径集中在等离子体电极有效的不同区域（30PL）上，从而导致对这些区域（30PL）进行持续的溅射清洁。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169025 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980084887.8 (74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公