一种量子点及其制备方法和应用.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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一种量子点及其制备方法和应用.pdf

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本发明提出了一种量子点及其制备方法和应用。所述量子点包括InP量子点核心、包覆于InP量子点核心表面的ZnSeS层以及包覆于ZnSeS层表面的ZnS层；其中，所述InP量子点核心为经酸刻蚀得到的。本发明所述量子点使用酸刻蚀得到，既能去除量子点表面的氧化物缺陷，又能将量子点刻蚀为类球形结构，提升量子点的粒径均一性，得到量子效率高、半峰宽窄的InP量子点。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113105884 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110382792.3 C09K 11/88 (2006.01) (22)申请日 2