膜的制造方法、有机半导体元件的制造方法及有机半导体元件.pdfVIP

膜的制造方法、有机半导体元件的制造方法及有机半导体元件.pdf

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通过从同时包含满足ΔEST(1)≤0.3eV的第1化合物和满足ES1(1)＞ES1(2)的第2化合物的沉积源进行共沉积来形成膜。ΔEST(1)为第1化合物的最低激发单重态能级ES1(1)与最低激发三重态能级之差，ES1(2)为第2化合物的最低激发单重态能级。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113170549 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980076806.X (74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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