第5章存储体系和结构.pptVIP

5.3 半导体随机存储器和只读存储器 双译码方式对应的存储芯片结构可以是位结构的，则在Z方向上重叠b个芯片。 也可以是字段结构的。 X选择线 Y选择线 …… …… 北京理工大学计算机学院 目前六十三页\总数一百二十三页\编于三点 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 对于字段结构的存储芯片，行选择线为M/s根，列选择线为s，K位地址线也要划分为两部分：Kx＝log2M/s，Ky＝log2s。 双译码方式与单译码方式相比，减少了选择线数目和驱动器数目。存储容量越大，这两种方式的差异越明显。 256 256 256 256 8 8 双译码 65536 65536 16 单译码 驱动器数 选择线数 占用地址位 译码方式 北京理工大学计算机学院 目前六十四页\总数一百二十三页\编于三点 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 以Intel 2114为例 存储容量为1K×4，由4096个六管记忆单元电路组成，它们排成64×64的矩阵，采用字段结构。CPU送来的地址总线10位（A0～A9），其中6位作为行选择电路的输入，经行地址译码器产生64条行选择线；另4位作为列选择电路的输入，经列地址译码器产生16条列选择线，每条列选择线再经列I/O电路把4条数据线（I/O1～I/O4）连接到各字段的相应位上。 北京理工大学计算机学院 目前六十五页\总数一百二十三页\编于三点 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 I/O1～I/O4是受输入三态门和输出三态门控制的双向数据线，由片选信号CS和写允许信号WE一起来控制这些三态门。 北京理工大学计算机学院 目前六十六页\总数一百二十三页\编于三点 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 北京理工大学计算机学院 目前六十七页\总数一百二十三页\编于三点 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 64根 行选择线 64根 列选择线 …… …… 16根 北京理工大学计算机学院 目前六十八页\总数一百二十三页\编于三点 5.3 半导体随机存储5和只读存储器 3.RAM的读/写时序 (1)SRAM读/写时序 读周期表示对该芯片进行两次连续读操作的最小间隔时间。在此期间，地址输入信息不允许改变，片选信号CS在地址有效之后变为有效，使芯片被选中，最后在数据线上得到读出的信号。写允许信号WE在读周期中保持高电平。 写周期与读周期相似，但除了要加地址和片选信号外，还要加一个低电平有效的写入脉冲WE，并提供写入数据。 北京理工大学计算机学院 目前六十九页\总数一百二十三页\编于三点 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 北京理工大学计算机学院 目前七十页\总数一百二十三页\编于三点 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 (2)DRAM读/写时序 北京理工大学计算机学院 目前七十一页\总数一百二十三页\编于三点 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 5.3.4 半导体只读存储器（ROM） ROM的最大优点是具有非易失性，即使电源断电，ROM中存储的信息也不会丢失。 1.ROM的类型 ROM工作时只能读出，不能写入，那么ROM中的内容是如何事先存入的呢？我们把向ROM写入数据的过程称为对ROM进行编程，根据编程方法的不同，ROM通常可以分为以下几类： 北京理工大学计算机学院 目前七十二页\总数一百二十三页\编于三点 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 (1)掩膜式ROM（MROM） 它的内容是由半导体生产厂家按用户提出的要求在芯片的生产过程中直接写入的，写入后任何人都无法改变其内容。 (2)一次可编程ROM（PROM） PROM允许用户利用专门的设备（编程器或写入器）写入自己的程序，但一旦写入后便无法改变，因此它是一种一次性可编程的ROM。 北京理工大学计算机学院 目前七十三页\总数一百二十三页\编于三点 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 通常，生产厂家提供的PROM芯片初始内容为全“0”，用户根据自编的程序，使用编程器外加足够大的电压（或电流），将“1”写入相应位，PROM的编程是逐位进行的。常见的PROM根据写入原理可分为两类：结破坏型和熔丝型。 北京理工大学计算机学院 目前七十四页\总数一百二十三页\编于三点 5.3 半导体随机存储器和只读存储器 (3)可擦除可编程ROM（EPROM） 这种ROM的内容不仅可以由用户利用编程器写入，而且可以对其内容进行多次改写。但