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本发明提供了一种LED外延片的制作方法,包括以下步骤,步骤3、在AlN层上间隔制作多个凸起的圆锥体;步骤4、在AlN层上间隔制作多个凹陷且倒置的圆锥腔,所述圆锥腔与圆锥体交错设置且两两不相连;步骤5、在AlN层上周期性生长多个多量子阱发光层,每个所述多量子阱发光层均包括依次生长的InGaN阱层和GaN垒层,其中,第一周期生长的多量子阱发光层用于填满所述步骤4中的圆锥腔,从第二周期开始,后一周期生长的多量子阱发光层均位于包含AlN层和前一周期生长的多量子阱发光层的整体结构上。本发明能够提升LED外
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113097351 B (45)授权公告日 2022.07.19 (21)申请号 202110348835.6 H01L 33/12 (2010.01)
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