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本发明公开了一种SiC功率器件芯片栅氧化层的制造方法及功率器件，其中SiC功率器件芯片栅氧化层的制造方法通过多次注入可以精确控制引入元素数量，既保证消除缺陷的效果，又不会引入过多的P/B元素导致栅极可靠性下降。多次注入优化元素分布保证了P注入层在热氧化过程中全部消耗。通过热氧化前光刻定义注入区，在SIC表面形成P/B注入区，使P和N元素共同形成界面陷阱，降低界面态，该方法不需要使用NO气氛退火就引入了两种元素，复合降低界面态，提升了栅极可靠性，降低了器件制造成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111009464 A (43)申请公布日 2020.04.14 (21)申请号 20201
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