一种低方阻、超洁净石墨烯透明导电薄膜及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.21万字
约 10页
2023-06-12 发布于四川
举报
版权申诉

一种低方阻、超洁净石墨烯透明导电薄膜及其制备方法.pdf

1、本文档共10页，其中可免费阅读9页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供了一种低方阻、超洁净石墨烯透明电极及其制备方法，方法包括以下步骤：采用化学气相沉积法在金属基底上沉积(2～8)层石墨烯；对长有石墨烯的基底进行处理，得到处理后长有石墨烯的基底；将所述处理后长有石墨烯的基底置于刻蚀液中刻蚀，清洗干净后转移至掺杂剂溶液中，再转移至目标基底，烘干，得到石墨烯透明电极；所述刻蚀液和掺杂剂溶液的表面张力为0.01～1000N/m。本发明制备的石墨烯薄膜表面无任何杂质；掺杂剂位于少层石墨烯和基底之间，缺陷较少的少层石墨烯减少了掺杂剂与外界的接触机会，因此，掺杂的后

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113023719 A (43)申请公布日 2021.06.25 (21)申请号 202110249209.1 (22)申请日 2021.03.08 (71)申请人中国