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本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包含以下步骤：提供基底；形成多个栅极结构于基底上；形成衬层于基底以及栅极结构上；形成第一间隔层于衬层上；形成停止层于第一间隔层上；形成第一牺牲层于停止层上以及栅极结构之间；移除第一牺牲层的一部分，使第一牺牲层的顶表面位于栅极结构的上部之间；形成一第二间隔层于第一牺牲层以及栅极结构上；移除第二间隔层的一部分，使剩余的第二间隔层位于栅极结构的上部之间；形成第二牺牲层于栅极结构上以及栅极结构之间；移除第一牺牲层及第二牺牲层，以及移除衬层、第一间隔层及停止层的一部分
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864008 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202010721721.7 (22)申请日 2020.07.24 (30)优先权数据
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