浅沟槽隔离结构的制作方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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浅沟槽隔离结构的制作方法.pdf

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本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，浅沟槽隔离结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次形成氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层；在氮氧化硅层上形成依次贯穿氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层和部分衬底的凹槽；向凹槽填充氧化硅以形成浅沟槽隔离；采用酸蚀剂将氮氧化硅层和氮化硅层去除，以露出氧化硅层。通过采用酸蚀剂同时将氮氧化硅层和氮化硅层去除，相对于现有的采用干法刻蚀去除氮氧化硅层的方案，一方面，减少了干法刻蚀以及湿法清洗的工序，从而降低了成本，另一方面，相对干法刻蚀，采用酸蚀剂的工艺成本较低，进一步降

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864088 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110032273.4 (22)申请日 2021.01.11 (71)申请人长江存储科技有限责任公司