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公开了半导体器件中的失效结构。提供了一种半导体器件。在实施例中，半导体器件包括控制区、第一电力区、第二电力区、隔离区和/或短路结构。控制区包括控制端子。第一电力区包括第一电力端子。第二电力区包括第二电力端子。隔离区在控制区和第一电力区之间。短路结构从第一电力区延伸通过隔离区到达控制区。短路结构被配置为在半导体器件的失效状态期间在控制区和第一电力区之间形成低电阻连接。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864126 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202011354490.7 (22)申请日 2020.11.27 (30)优先权数据 16/697580
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