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提供了半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置包括：源极结构，其形成在基底上；蚀刻防止层，其形成在源极结构上；位线；层叠结构，其位于蚀刻防止层和位线之间，并包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；以及沟道结构，其穿过层叠结构和蚀刻防止层，其中，沟道结构的下部位于源极结构中，并且沟道结构的下部的侧壁与源极结构直接接触。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864160 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 20201
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