筒形半导体制程用高纯多晶硅锭的制备方法及制备装置.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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筒形半导体制程用高纯多晶硅锭的制备方法及制备装置.pdf

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本发明提供了一种筒形半导体制程用高纯多晶硅锭的制备方法及制备装置，该方法包括：将制备筒形多晶硅锭所需的多晶硅原料装入到双层圆坩埚的内外层结构之间，将装有多晶硅原料的双层圆坩埚放入铸锭炉；对铸锭炉抽真空，打开加热器加热，直到多晶硅原料全部熔化成液体；使双层圆坩埚内的温度从圆坩埚底部向上逐渐上升形成温度梯度，以使熔化成液体的多晶硅原料逐渐结晶凝固；在结晶凝固完成后，通过退火冷却得到制备完成的筒形多晶硅锭。该种方案，多晶硅锭生产出来后就是筒形的，而通过筒形多晶硅锭生产相同尺寸的环状多晶硅时，投料量可以

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112853481 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202011622914.3 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人陈富伦地址 222